작성일
2022.10.17
수정일
2022.10.17
작성자
나노광소자연구실
조회수
63
[2022] III-V족 화합물반도체 기반의 전자소자 또는 광소자의 제조방법
본 발명은 종횡비가 1이 아닌 구조적으로 비대칭적인 III-V족 화합물반도체 나노구조를 공간적으로 원하는 위치에 특정 방향성을 갖도록 정렬하고 이를 운반자의 전도층으로 이용하는 전자소자와 광흡수층 및 발광층으로 이용하는 광소자 및 이의 제작방법을 제공하는 것이다.
년도
2022
월일
02/04
출원(등록번호)
10-2022-0014598
발명자
신재혁
비고
출원
첨부파일
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