작성일
2024.01.15
수정일
2024.10.02
작성자
나노광소자연구실
조회수
92

[2024] III-V족 화합물 반도체 기반의 전자소자 또는 광소자의 제조방법

본 발명은 종횡비가 1이 아닌 구조적으로 비대칭적인 III-V족 화합물반도체 나노구조를 공간적으로 원하는 위치에 특정 방향성을 갖도록 정렬하고 이를 운반자의 전도층으로 이용하는 전자소자와 광흡수층 및 발광층으로 이용하는 광소자 및 이의 제작방법을 제공하는 것이다.
년도
2024
월일
01/08
출원(등록번호)
10-2624061
발명자
신재혁
비고
등록
첨부파일
첨부파일이(가) 없습니다.